冷熱沖擊試驗(yàn)箱,二箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱,兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱廠家解析集成電路的選用。π1 數(shù)字集成電路標(biāo)準(zhǔn)系列主要適用于速度和功耗要求不嚴(yán)格的電路，其典型的門(mén)功耗為10 mW ，傳輸延遲時(shí)間為10 ns ，扇出系數(shù)為10 。低功耗數(shù)字電路主要用于功耗要求特別嚴(yán)格的電路，其典型的門(mén)功耗為1 mW ，傳輸延遲時(shí)間為30 ns ，可驅(qū)動(dòng)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)門(mén)或10 個(gè)低功耗門(mén)。它允許較大的組裝密度。由于工作電流較低，因而降低了噪音，并可減少對(duì)電源的要求。

   高速數(shù)字電路主要用于高速數(shù)字系統(tǒng)，其典型門(mén)功耗為23 mW ，傳輸延遲時(shí)間為6 ns ，可驅(qū)動(dòng)12 個(gè)π1 門(mén)或10 個(gè)高速門(mén)，肖特基型電路主要用于超高速數(shù)字處理系統(tǒng)，其典型門(mén)功耗為19mW ，傳輸延遲時(shí)間為3 ns ，可驅(qū)動(dòng)12 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)'ITL 門(mén)或10 個(gè)肖特基門(mén)。CMOS 數(shù)字電路主要用于功耗要求很?chē)?yán)格而速度又不高的電路。其典型門(mén)功耗為10 μW( 10 kHz 時(shí)），傳輸延遲時(shí)間為50 ns ，可驅(qū)動(dòng)50 個(gè)MOS 門(mén)或1 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)π1 門(mén)，噪音抗擾度為1. 5 V （而π1 電路抗擾度為0.4 V ）。CMOS 電路適用于高噪音環(huán)境，電源電壓為3 v -15 v。線性集成電路主要適用于信號(hào)放大、控制和傳輸以及電壓調(diào)整。線性集成電路的失效模式主要有性能退化（約占83% ）、引腳間開(kāi)路（約占9% ）或短路（約占7% ）以及機(jī)理異常（約占1% ）。